第424章制裁:百分百汽车关税深城,海湾科技的三号楼,也是euv项目办公楼里的一楼实验室里。
徐申学带着几个集团高管在海湾科技的众人陪同下,参观了这台euv光刻机原型机。
euv光刻机这东西,光看外表也看不出来什么,就是一个大柜子……光看这个大柜子,普通人很难想象这东西的价格得至少一点五亿美元甚至更贵。
此时海湾科技的ceo王道林,则是一脸兴奋的向徐申学介绍着这台原型机的基本情况:“我们的这台原型机在研发的时候,已经历经了多次的试验机型的研发,以逐步提升技术水准!”
“如在关键技术参数,也就是数值孔径上,我们一开始只能做到0.25,而而这一水平的数值孔径下,哪怕是我们采用了波长更短极紫外光,但是最后做出来的分辨率依旧不行,第一代试验机的分辨率只有三十五纳米!”
“后续我们继续研发,通过多系统的整合,先进材料的进一步应用,把数值孔径提升到了0.33,也就是国外asml旗下产品的同等水准。”
“同时我们在其他子系统,尤其是光源系统以及镜片系统上也获得了巨大的技术进步,等到第二代试验机的时候,我们已经把分辨率提升到了二十纳米!”
“理论上来说,这个分辨率已经很不错,已经可以用来生产现在的这些十纳米等效工艺,十二纳米等效工艺,甚至等效七纳米的芯片了!”
“但是性价比太低了,现在的euv光刻机研发成本投入巨大,同时制造的硬件成本也会非常大,最后售价可能是现有的duv浸润式光刻机的两倍以上,但是euv光刻机的生产效率目前还无法提升,只维持在每小时一百片的水准,这意味着从商业价值上来说,第二代试验机依旧没有实际价值,同时当时的套刻精度也只有二点五纳米。”
“而我们目前量产的最先进的hduv-600b型光刻机,分辨率达到38纳米,套刻精度2.5纳米,已经可以很充分的满足10-14纳米工艺的芯片生产需求,性价比更高!”
“综合来看,第二代试验机因为性价比问题,并不具备商业化潜力,所以我们在第二代试验机的基础上继续进行改进!”
“从去年开始,我们开始第三代试验机的深度改进研发,主要是进一步提升分辨率以及套刻精度,此外也进一步提升机台的工作效率以及稳定性,为商业化生产做准备。”
“通过大量的技术研发,在仙女山旗下众多合作企业的配合下,我们先后对光源系统,曝光系统,机台系统等进行了大幅度的技术升级!”
“最终,我们做出来了这台第三代的试验机,同时也是量产型号的原型机:heuv-300a型!”
“经过大量的技术升级,目前我们的这台heuv-300a,分辨率已经达到了十三纳米,数值孔径为0.33,最重要的是套刻精度提升到了2纳米。”
“其中套刻精度的提升是一个巨大的技术进步,这意味着我们可以使用这台光刻机低成本的生产等效7纳米工艺的芯片,甚至生产等效五纳米工艺的芯片!”
徐申学搞了这么多年的半导体,多少对半导体设备以及工艺之间的关系能搞清楚了。
光是一听这个十四纳米工艺的分辨率,他就知道这台euv光刻机的巨大价值了。
芯片工艺能做到做好,是和光刻机的分辨率以及套刻精度息息相关的。
芯片工艺的好坏,芯片工厂一般用等效工艺来进行宣传,智云的十八纳米、十四纳米、十二纳米、十纳米都是属于等效工艺,台积电那边的二十纳米、十六纳米、十纳米工艺也是属于等效工艺……并不是说芯片的金属间隔真达到了这个程度。
芯片行业内一般使用多个关键数据来判断芯片工艺的好坏,而其中和光刻机关系最大的就是半金属间距了。
如智云半导体的十四纳米工艺,其半金属间距是四十三纳米;而今年刚推向市场的等效十纳米工艺,其半金属间距是三十二纳米。
正在研发当中,预计明年投产的等效七纳米工艺,半金属间距是二十七。
隔壁的台积电以及四星,在各工艺节点上也差不多这个水准,有一些偏差,但是不会大。
而到了二十七纳米这个半金属间距,也就是等效七纳米工艺这个工艺节点后,duv浸润式光刻机受限于分辨率的限制已经到了物理理论极限了,很难再往下继续搞了,比如等效五纳米工艺就很难搞……当然,也不是说不行,如果套刻精度能够做到两纳米的程度,也能勉强高,但是成本会上天……
智云半导体以及对面的台积电,其实都在尝试用duv浸润式光刻机搞等效五纳米工艺的芯片……嗯,就是尝试把芯片的半金属间距做到大概二十五纳米的水准。
别看只是两纳米的半金属工艺的提升,但是依旧是一道难以夸张的天堑,难得很。
所以别看都在搞,但实际上都对这一技术路线望而止步……用duv浸润式光刻机搞等效五纳米的芯片,这个太扯淡了,从商业角度来看完全不值得。
所以这两家芯片先进工艺的竞争对手,在使用duv浸润式光刻机制造等效五纳米工艺这一技术路线上,都是雷声大,雨点小……都在指望euv光刻机呢。
至于四星和英特尔,他们就更惨了,他们连十纳米工艺,嗯,也就是大概三十三半金属工艺节点都还没有搞出来呢。
等效七纳米,遥遥无期……
其中的英特尔是受限于各种情况,技术推进非常不顺利,只能在十四纳米工艺上修修改改。
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